材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

稀土正硼酸盐Ln_1-xBO₃:Eu_x(Ln=Y,Gd)的结构与发光特性

张巍巍 , 谢平波 , 张尉萍 , 尹民 , 荆隆 , 吕少哲 , 楼立人 , 夏上达

无机材料学报

用溶胶－凝胶法和高温固相反应分别制备了纳米量级和常规尺度的稀土正硼酸盐荧光粉ＬｎＢＯ_３：Ｅｕ（Ｌｎ＝Ｙ，Ｇｄ），测量了它们的激发光谱并首次观察到了ＹＢＯ_３：Ｅｕ中Ｅｕ^３＋的^７Ｆ_０→^５Ｄ_０跃迁的 Ｎｅｐｈｅｌａｕｘｅｔｉｃ效应．根据低温下的激发光谱，发射光谱以及变温条件对发光光谱的影响，ＹＢＯ_３中Ｌｎ^３＋所占据的两种格位的对称性被修正为Ｃ_３和Ｄ_３在不同方法制备的样品中观察到了不同的发光强度和猝灭浓度，缺陷的影响是产生这种不同的原因，退火样品的发光和拉曼散射谱的变化反映出掺杂的杂质Ｅｕ^３＋的团聚化是可能的缺陷来源．

关键词: YBO₃ , sol-gel technique , luminescence , nephelauxetic effect

Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的取向生长及其电性能研究

王华

无机材料学报

采用Sol-Gel工艺,在快速退火的工艺条件下制备了Bi₄Ti₃O₁₂铁电薄膜,研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响,探讨了Bi₄Ti₃O₁₂薄膜取向生长的微观机制.结果表明:退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长,其(00l)晶面的取向度F=(P-P₀)/(1-P₀)由550℃的0.081增加到850℃的0.827,退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响;经750℃以上温度退火处理的Bi₄Ti₃O₁₂薄膜呈高度c轴取向,对铁电性能有较明显的削弱作用;薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大,但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.

关键词: 铁电薄膜 , Bi₄Ti₃O₁₂ , oriented growth , sol-gel technique

新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

夏冬林 , 刘梅冬 , 曾亦可 , 李军 , 黄焱球 , 刘少波

无机材料学报

采用新型ｓｏｌ－ｇｅｌ技术在 Ｐｔ／Ｔｉ／ＳiO2/Si基片上制备出了厚度为 ２～６０μｍ的ＰＺＴ铁 电厚膜材料；研究了ＰＺＴ厚膜的结构及其介电、铁电性能．ＸＲＤ谱分析显示，ＰＺＴ厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构，无焦绿石相存在．ＳＥＭ电镜照片显示，ＰＺＴ膜厚均匀一致，无裂 纹、高致密．厚度为５０μｍ的ＰＺＴ厚膜的介电常数为８６０，介电损耗为０.０３，剩余极化强度 是２５μＣ／ｃｍ^２．矫顽场是４０ｋＶ／ｃｍ.

关键词: PZT厚膜 , lead zirconate titanate (PZT) , sol-gel technique , dielectric properties

Y₂O₃-SnO₂常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

方国家 , 刘祖黎 , 吉向东 , 王汉忠 , 黄宜军 , 姚凯伦

无机材料学报

以无机盐ＳｎＣｌ_２·２Ｈ_２Ｏ，Ｙ（ＮＯ_３）_３·６Ｈ_２Ｏ为原料，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ_２Ｏ_３掺杂的ＳｎＯ_２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ_２Ｏ_３掺杂的ＳｎＯ_２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ_２Ｏ_３掺杂份量对ＳｎＯ_２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ_２Ｏ_３掺杂的ＳｎＯ_２薄膜在常温下对ＮＯ_ｘ具有较好的灵敏度和选择性，并具有较好的响应恢复性能；在常温下对Ｈ_２Ｓ气体也具有一定的灵敏度．

关键词: sol-gel工艺 , electrical and gas sensitive properties , sol-gel technique

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词